发明名称 一种共享的预稳压电路
摘要 一种共享的预稳压电路,涉及一种应用于LDO的预稳压电路。它为了解决目前的预稳压电路只对LDO的输出部分进行改善,无法有效提高基准源的输出电压的电源抑制比、降低基准源的温度系数和电源抑制随工艺阈值电压变化的敏感度的问题。第一MOS晶体管栅极与误差放大器输出端连接,其衬底接地,其漏极同时与第二MOS晶体管漏极、栅极和第三MOS晶体管栅极连接,第二MOS晶体管源极同时与自己的衬底、第三MOS晶体管源极及其衬底连接,第一MOS晶体管源极同时与第二电阻一端、第三电阻一端连接,第二电阻另一端同时与第一电阻一端和误差放大器反相输入端连接,第一电阻另一端与电容一端连接后接地,电容另一端与第三电阻另一端连接。
申请公布号 CN100568150C 申请公布日期 2009.12.09
申请号 CN200810064235.1 申请日期 2008.04.03
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 王永生;李景虎;韩良
分类号 G05F3/24(2006.01)I 主分类号 G05F3/24(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人 牟永林
主权项 1、一种共享的预稳压电路,其特征在于它由误差放大器A1、第一MOS晶体管M1、第二MOS晶体管M2、第三MOS晶体管M3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和电容C1组成,误差放大器A1的输出端与第一MOS晶体管M1的栅极连接,第一MOS晶体管M1的衬底接地,第一MOS晶体管M1的漏极同时与第二MOS晶体管M2的漏极、第二MOS晶体管M2的栅极和第三MOS晶体管M3的栅极连接,第二MOS晶体管M2的源极同时与第二MOS晶体管M2的衬底、第三MOS晶体管M3的源极和第三MOS晶体管M3的衬底连接并连接电源VDD,第三MOS晶体管M3的漏极作为第一个输出端,第一MOS晶体管M1的源极同时与第二电阻R2的一端、第三电阻R3的一端连接,第二电阻R2的另一端与第一电阻R1的一端连接,第二电阻的另一端还与误差放大器A1的反相输入端连接,第一电阻R1的另一端与电容C1的一端连接并接地,电容C1的另一端与第三电阻R3的另一端连接作为第二个输出端,带隙基准源的低温度系数的电压VREF与误差放大器A1的正向输入端连接,误差放大器A1、第一MOS晶体管M1和第一电阻R1、第二电阻R2形成了一个电流负反馈结构,第一MOS晶体管M1是N型MOS晶体管,第二MOS晶体管M2和第三晶体管M3是P型的MOS晶体管。
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