| 发明名称 | 降低耦合噪声的半导体器件 | ||
| 摘要 | 半导体器件、半导体存储器件或闪速存储器包括含有高压元件的高压区、含有低压元件的低压区和诸如低压开关晶体管之类连接高压区和低压区的开关晶体管。开关晶体管降低或消除读出节点之间的耦合噪声，而不会使芯片面积增加。 | ||
| 申请公布号 | CN100568389C | 申请公布日期 | 2009.12.09 |
| 申请号 | CN200510059255.6 | 申请日期 | 2005.03.25 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 边大锡 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I;G11C7/00(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 郭定辉;黄小临 |
| 主权项 | 1.一种闪速存储器，包括：含有第一对位线的第一页面缓冲器；和含有第二对位线的第二页面缓冲器；第一和第二页面缓冲器中的每个都包含选择位线对中的一条位线的高压电路；通过位线读出单元数据的低压电路；和与读出线连接的开关晶体管，其中，第一和第二页面缓冲器中的读出线阶梯式地排列着，以便在与位线垂直的方向不重叠。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||