发光二极管、发光二极管模块及其制作方法

摘要

本发明涉及一种发光二极管、发光二极管模块及其制作方法。发光二极管包括：非掺杂层；依次形成在非掺杂层上的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层；开槽，从P型半导体层表面延伸到N型半导体层表面或延伸到N型半导体层中；P型欧姆接触层，形成在开槽后剩余的P型半导体层上；绝缘介质膜，形成在开槽的侧壁和P型欧姆接触层上；金属层，形成在开槽底部的N型半导体部以及绝缘介质膜上；支撑衬底，形成在金属层上；第一盲孔和第二盲孔，第一盲孔从非掺杂层表面延伸到P型欧姆接触层表面，第二盲孔从非掺杂层表面延伸到金属层表面；P型及N型压焊部，分别形成在露出的P型欧姆接触层以及金属层上。

主权项

一种发光二极管，其特征在于，该发光二极管包括：非掺杂层；依次形成在该非掺杂层上的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层；开槽，从该P型半导体层表面延伸到该N型半导体层表面或延伸到该N型半导体层中，开槽后剩余的P型半导体层、量子阱发光层及N型半导体层分别为P型半导体部、量子阱发光部及N型半导体部；P型欧姆接触层，形成在该P型半导体部上；绝缘介质膜，形成在该开槽的侧壁和该P型欧姆接触层上；金属层，形成在该开槽底部的N型半导体部以及该绝缘介质膜上；支撑衬底，形成在该金属层上；第一盲孔和第二盲孔，该第一盲孔从非掺杂层表面延伸到P型欧姆接触层表面，该第二盲孔从非掺杂层表面延伸到金属层表面；P型及N型压焊部，分别形成在露出的P型欧姆接触层以及金属层上。