高频开关电路

摘要

本发明提供一种高频开关电路。根据本发明的高频开关电路至少包括被连接在公共端子和第一端子之间的第一开关，和被连接在公共端子和第二端子之间的第二开关。第一和第二开关中的每一个包括串联连接的多个场效应晶体管并且每个场效应晶体管具有体区、源极、漏极、以及栅极。补偿当第一开关处于截止状态时产生的寄生电容的补偿电容形成在第一开关的FET中的漏极和体区之间或者源极和体区之间。补偿当第二开关处于截止状态时产生的寄生电容的补偿电容形成在第二开关的FET中的漏极和体区之间或者源极和体区之间。

主权项

一种高频开关电路，包括：第一开关，所述第一开关连接在公共端子和第一端子之间；和第二开关，所述第二开关连接在所述公共端子和第二端子之间，其中所述第一和第二开关中的每一个包括串联连接的多个场效应晶体管并且每一个场效应晶体管具有体区、源极、漏极、以及栅极，补偿当所述第一开关处于截止状态时产生的寄生电容的第一补偿电容形成在所述第一开关的所述多个场效应晶体管中的至少一个中的漏极和体区之间或者源极和体区之间，以及补偿当所述第二开关处于截止状态时产生的寄生电容的第二补偿电容形成在所述第二开关的所述多个场效应晶体管中的至少一个中的漏极和体区之间或者源极和体区之间。