磁阻式随机存取记忆体及积体电路元件

摘要

本发明提供一种磁阻式随机存取记忆体(MRAM)及积体电路元件。上述磁阻式随机存取记忆体包括一磁性穿隧接面(MTJ)堆叠，藉由一低介电常数材料，与其他一或多个邻近的导电层及／或一或多个邻近的磁性穿隧接面(MTJ)堆叠相隔离。