低介电常数之多孔隙薄膜

摘要

本案揭示一种用于电子元件之多孔介电膜，其系藉由移除可溶解奈米相成孔剂加以形成。一矽为主之具有可溶解成孔剂分布于其中之介电膜系藉由化学气相沉积(CVD)或旋涂玻璃(SOG)加以备制。较佳之成孔剂例子包含例如氧化锗(GeO2)及氧化硼(B2O3)之化合物。热水可以用以处理湿式蚀刻该膜，藉此移除该等成孔剂并提供该多孔介电膜。矽为主之介电膜可以为掺碳之氧化矽，以进一步降低该膜的介电常数。另外，多孔介电膜可以藉由电子束加以处理，以加强该膜的电气及机械特性。