| 摘要 |
一种接触窗内连线结构至少包括的方法有：提供半导体基材，其中半导体基材包括有复数个CMOS元件，此些CMOS元件包括有复数个主动接触区域；形成第一组介电层，藉以形成第一厚度来蚀刻第一组开口至穿过第一组开口之厚度，其中第一组开口至少包括一底部分，此底部分具有实质小于70nm之最大宽度；蚀刻第一组开口至接触主动接触区域；以第一金属填充第一组开口；形成第二组介电层，藉以形成第二厚度来蚀刻第二组开口至穿过第二厚度，其中第二组开口至少包括一底部分，此底部分具有小于70nm之最大宽度；蚀刻第二组开口，以提供与第一组开口之电性传递(ElectricalCommunication)；以及以第二金属填充第二组开口，以形成复数个接触窗内连线。 |
