半导体装置

摘要

一种半导体装置，在现有的半导体装置中，存在在护圈区域耗尽层形状畸变，且不能得到稳定的耐压特性这样的问题。在本发明的半导体装置中，由同一工序形成实动作区域的热氧化膜25和护圈区域的热氧化膜26。然后，通过在一度将热氧化膜25除去后再次形成，以例如8000～10000程度的膜厚形成护圈区域的热氧化膜26的膜厚。由此，含有可动离子31的CVD氧化膜27被形成在自外延层2表面离开的位置，可抑制可动离子31的影响引起的耗尽层的畸变，可维持规定的耐压特性。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体层，其具有形成多个单元的实动作区域和配置在该实动作区域周围的护圈区域；扩散区域，其自所示半导体层表面形成所述实动作区域和所述护圈区域的边界；热氧化膜，其被形成在所述半导体层表面；CVD氧化膜，其被形成在该热氧化膜上面，其中，所述热氧化膜由其膜厚不同的第一热氧化膜和第二热氧化膜构成，所述第二热氧化膜比所述第一热氧化膜的膜厚厚，所述第二热氧化膜被形成在所述护圈区域上面。