用于制造自行对准接触窗结构的方法

摘要

本发明提供一种用于制造自行对准接触窗结构的方法，其在一半导体基底上具有至少二导电结构，所述导电结构位于将形成自行对准接触窗的位置旁，并有多个光刻结构位于导电结构上，每一光刻结构具有一顶面及一垂直面；一介电层覆盖于半导体基底上，然后蚀刻去除部份介电层，以暴露出每一光刻结构的顶面与部份垂直面；再在每一露出的垂直表面上形成多个间隙壁。因此，当后续在二导电结构之间形成自行对准接触窗结构时，此氮化物间隙壁的部份周围具有较低的寄生电容。

主权项

1、一种用于制造自行对准接触窗结构的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体基底，其上形成至少二导电结构，该导电结构位于将形成自行对准接触窗的位置二侧，并有多个光刻结构分别位于该导电结构上，且每一光刻结构各具有一顶面及一垂直面；形成一介电层覆盖于该半导体基底上；蚀刻去除部份该介电层，以露出该光刻结构的顶面与部份该垂直面；以及形成多个间隙壁，每一该间隙壁沉积于每一露出的该垂直表面上；在该介电层、该多个间隙壁及该光刻结构露出的该多个顶面形成一内层介电层；以及移除位于该二导电结构之间的部份该内层介电层与该介电层，以作为后续制作该自行对准接触窗结构。