氮化镓基化合物半导体发光器件

摘要

本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有为获得优良的光提取效率而配置的反射性正电极。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件在衬底上具有氮化镓基化合物半导体层结构，所述氮化镓基化合物半导体层结构包括n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中设置在所述p型半导体层上的正电极是反射性正电极，所述反射性正电极包括透明材料层和形成在所述透明材料层上的反射性金属层。

主权项

1.一种在衬底上具有氮化镓基化合物半导体层结构的氮化镓基化合物半导体发光器件，所述氮化镓基化合物半导体层结构包括n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中设置在所述p型半导体层上的正电极是反射性正电极，所述反射性正电极包括透明材料层和形成在所述透明材料层上的反射性金属层，所述反射性正电极还包括完全覆盖所述反射性金属层的覆盖层以及设置在所述覆盖层上的接合层。