发明名称 多埠记忆体装置(二) MULTI-PORT MEMORY DEVICE
摘要 提供一种多埠记忆体装置,其能防止在一电流感测型总体资料汇流排传送/接收结构之一初始操作中一第一高资料失败现象,而不会在低资料传送中造成问题。在上述具有一资料传送/接收方块(排组、埠、总体资料汇流排连接方块等)之多埠记体装置中,使用一初始化开关,以放电每一总体资料汇流排线,其中上述资料传送/接收方块在一电流感测型资料传送/接收结构中与上述总体资料汇流排交换资料,以及一初始化信号产生器控制该初始化开关。在该初始操作中之一第一高资料失败系由一高预充电位准所造成的。依据本发明,可降低一高预充电位准,而不会造成在资料传送中之问题。
申请公布号 TW200537519 申请公布日期 2005.11.16
申请号 TW093118230 申请日期 2004.06.24
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 李日豪;金庚焕;李在真
分类号 G11C7/00 主分类号 G11C7/00
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 韩国