发明名称 蚀刻方法及蚀刻液
摘要 本发明之目的在于,在将由基板上所形成之含有铬、镍、或铬及/或镍之合金构成之基底膜;以及以被覆该基底膜之整面或一部份之方式形成之贵金属或贵金属合金所构成之上层膜的层合膜之至少基底膜予以蚀刻时,防止因电蚀作用而引起之边蚀(side etching),以进行所需之蚀刻。本发明提供一种蚀刻液及使用该蚀刻液之蚀刻方法,该蚀刻液系用以将由在基板上所形成之含有铬、镍、或铬及/或镍之合金所构成之基底膜;以及以被覆该基底膜之整面或一部份之方式所形成之贵金属或贵金属合金所构成之上层膜的层合膜之至少基底膜予以蚀刻者,其特征为,系由硝酸浓度35重量%以上之水溶液所构成。
申请公布号 TW200539286 申请公布日期 2005.12.01
申请号 TW094111776 申请日期 2005.04.14
申请人 三菱化学股份有限公司 发明人 石川诚;鎌田浩史
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项
地址 日本