碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件

摘要

本发明公开了一种过渡晶体结构，用于在一个单晶碳化硅层和一个单晶氮化镓层之间提供优良的晶格匹配和热匹配。这种过渡晶体结构包括一个缓冲区，它由以下结构构成：一个第一氮化镓和氮化铝层，一个与所述第一层邻接的第二氮化镓和氮化铝层。第二层中氮化铝的克分子百分比与第一层中氮化铝的克分子百分比显著不同。一个单晶氮化镓层制作于所述第二氮化镓层上。最佳实施例中，缓冲区还包括一个位于一个碳化硅衬底上的氮化铝外延层。

主权项

1.一种过渡晶体结构，用于在单晶的碳化硅和一层单晶的氮化镓之间提供良好的晶格匹配和热匹配，所述过渡晶体结构包括：一个缓冲区，由以下两层构成：一个第一氮化镓和氮化铝层；一个与所述的第一层邻接的第二氮化镓和氮化铝层，其中，所述第二层中氮化铝的克分子百分比与所述第一层中氮化铝的克分子百分比显著不同；以及一个位于所述第二氮化镓和氮化铝层上的单晶氮化镓层。