| 摘要 |
<p>Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor umfaßt einen Halbleiterbereich (10) mit einem Innengebiet (13). Innerhalb des Halbleiterbereichs (10) sind außerdem ein erstes und ein zweites Verbindungsgebiet (22) bzw. (32) angeordnet. Das erste Verbindungsgebiet (22) hat den gleichen Leitungstyp wie das Innengebiet (13), allerdings in einer höheren Dotierungskonzentration. Das zweite Verbindungsgebiet (22) hat den gegenüber dem Innengebiet (13) entgegengesetzten Leitungstyp. Dadurch wird eine Reduzierung des Durchlaßwiderstands bei gleichzeitiger Wahrung einer hohen Sperrspannungsfestigkeit erreicht.</p> |
