电子式熔线结构

摘要

本发明系揭露一种电子式熔线结构。此结构藉由多晶矽层上之矽化层形成，其以一第一介电材料部分区隔电子式熔线与半导体基底，且以第二介电材料部分区隔电子式熔线与在熔线正上方之至少一导体。多晶矽层具有至少约2000埃之厚度与不大于0.14微米之宽度，而第二介电材料部分实质上系含有低介电材料。