| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，包括：形成有一个或多个像素的像素区域；和形成有用于存储来自各像素的输出信号的一个或多个DRAM单元的DRAM单元区域，通过同一半导体制造工序来形成构成像素区域和DRAM单元区域的各层。 | ||
| 申请公布号 | CN100446255C | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN03825908.7 | 申请日期 | 2003.03.19 |
| 申请人 | 富士通微电子株式会社 | 发明人 | 大川成实 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L27/14(2006.01);H04N5/335(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，包括：形成有具有一个或多个像素的像素区域；形成有用于存储来自所述像素的输出信号的一个或多个存储元件的存储元件区域；产生供给所述像素的内部电压的内部电压产生电路，所述像素包括摄像元件和临时保存由所述摄像元件生成的电荷的存储部、以及切换从所述摄像元件向所述存储部的电荷传输动作的传输晶体管，使用负电压作为所述传输晶体管截止时的栅极电压。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||