| 发明名称 | 通过气相外延法制备半导体化合物材料的方法及装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体化合物材料，优选III-N块体晶体或III-N层，其借助于氢化物气相外延法(HVPE)在反应器中制得，其中在载气混合物中，在所述反应器中形成由局部质量流率表示的流量曲线。所述混合物可以将一或多种反应气体携带向衬底。在此过程中，不依赖于在反应器中形成的所述流量曲线地，调节对于反应气体的反应以及沉积而言重要的、在所述衬底表面上的氢气浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN101657569A | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200780051972.1 | 申请日期 | 2007.12.19 |
| 申请人 | 弗赖贝格化合物原料有限公司 | 发明人 | G·雷贝格;F·哈贝尔;S·艾什勒 |
| 分类号 | C30B25/00(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 邓 毅 |
| 主权项 | 1.通过气相外延法在反应器(10，20)中制备半导体化合物材料的方法，其中，在可以沿着衬底(7，16)的方向携带一或多种反应气体的载气混合物中，在反应器中形成由局部质量流率所代表的流量曲线，其特征在于，通过调节在所述混合物中的第一载气的体积流量比例实现在所述衬底(7，16)表面上的氢气浓度的预定值，以及由此形成的对所述反应器(10，20)中流量曲线的影响，通过调节所述混合物中第二和第三载气的各自体积流量比例得以补偿，从而获得预定的、不依赖于所述氢气浓度的流量曲线。 | ||
| 地址 | 德国弗赖贝格 | ||