| 主权项 |
1.一种锡金焊料结构,应用于一光电晶体与一基座之间,该锡金焊料结构包含:一主体层,形成于该基座之表面上方;以及一接着层,形成于该主体层上方,用以接着至该光电晶体,其中该接着层之金锡重量比例小于该主体层之金锡重量比例,而该接着层之厚度小于该主体层之厚度。2.如申请专利范围第1项所述之锡金焊料结构,其中该主体层与接着层系以用蒸镀、溅镀或电镀中一种方式形成于该基座之表面上方。3.如申请专利范围第1项所述之锡金焊料结构,其中该接着层可为AuSn,AuSn2与AuSn4之各种介金属混合而成,该接着层之金锡重量比例小于该主体层之金锡重量比例,而该主体层之金锡重量比例可为80:20。4.如申请专利范围第1项所述之锡金焊料结构,其中该接着层之厚度可控制在1至2微米,而该接着层之厚度则控制在0.2微米。5.如申请专利范围第1项所述之锡金焊料结构,其中该主体层中更包含有一支撑层,其金锡重量比例与接着层之金锡重量比例相似,其厚度小于其上下之该主体层厚度。6.一种导体接合方法,应用于一光电晶体与一基座间,其包含下列步骤:于该基座上形成一锡金焊料结构,该锡金焊料结构包含一主体层以及一接着层,该接着层位于该主体层上方,而该接着层之金锡重量比例小于该主体层之金锡重量比例,该接着层之厚度小于该主体层之厚度;以及将该光电晶体接触至该接着层上,然后将该锡金焊料结构加热至该接着层焊料之回焊(reflow)温度进行接合。7.如申请专利范围第6项所述之导体接合方法,其中该主体层与接着层系以用蒸镀、溅镀或电镀中一种方式形成于该基座之表面上方。8.如申请专利范围第6项所述之导体接合方法,其中接着层可为AuSn,AuSn2与AuSn4之各种介金属混合而成,该接着层之金锡重量比例小于该主体层之金锡重量比例,而该主体层之金锡重量比例可为80:20。9.如申请专利范围第6项所述之导体接合方法,其中该接着层之厚度可控制在1至2微米,而该接着层之厚度则控制在0.3微米。10.如申请专利范围第6项所述之导体接合方法,其中该主体层中更包含有一支撑层,其金锡重量比例与接着层之金锡重量比例相似,其厚度小于其上下之该主体层厚度。11.一种锡金焊料结构,应用于一光电晶体与一基座之间,该锡金焊料结构包含:一主体层,形成于该光电晶体之表面上方;以及一接着层,形成于该主体层上方,用以接着至该基座,其中该接着层之金锡重量比例小于该主体层之金锡重量比例,而该接着层之厚度小于该主体层之厚度。12.一种导体接合方法,应用于一光电晶体与一基座间,其包含下列步骤:于该光电晶体上形成一锡金焊料结构,该锡金焊料结构包含一主体层以及一接着层,该接着层位于该主体层上方,而该接着层之金锡重量比例小于该主体层之金锡重量比例,该接着层之厚度小于该主体层之厚度;以及将该基座接触至该接着层上,然后将该锡金焊料结构加热至该接着层焊料之回焊(reflow)温度进行接合。图式简单说明:第一图(a)(b),其系将雷射二极体构装在基座(submount)上之一构造示意图。第二图,其系关于锡金合金之混合比与熔点之曲线图。第三图,其系本案为改善上述习用技术手段所发展出来之焊料构造之一实施例示意图。第四图,其系本案为改善上述习用技术手段所发展出来之焊料构造之另一实施例示意图。第五图,其系本案为改善上述习用技术手段所发展出来之焊料构造之再一实施例示意图。第六图,其系本案为改善上述习用技术手段所发展出来之焊料构造之又一实施例示意图。 |
