| 发明名称 |
FORMATION OF LOW-DISLOCATION DENSITY GAAS LAYER ON SI SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0661143(A) |
申请公布日期 |
1994.03.04 |
| 申请号 |
JP19920210564 |
申请日期 |
1992.08.07 |
| 申请人 |
OKI ELECTRIC IND CO LTD |
发明人 |
YAMAICHI EIJI;UEDA TAKASHI |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/205;(IPC1-7):H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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