| 主权项 |
1.一种具顺向性结构之奈米薄膜的制造方法,其步 骤包含有: 提供一溶液层; 于该溶液层表面形成一高分子胶体薄膜; 均匀散布复数个奈米材料于该高分子胶体薄膜; 提供一基板,将该基板伸入该溶液层,该基板表面 系不平行于该高分子胶体薄膜表面;及 抽拉该基板离开该溶液层与该高分子胶体薄膜,该 基板与该高分子胶体薄膜之表面形成一角度,使散 布于该高分子胶体薄膜的该奈米材料附着于该基 板上并组成一顺向性结构,该基板与该高分子胶体 薄膜的相对速度系为该奈米材料之一转印速度。 2.如申请专利范围第1项所述之具顺向性结构之奈 米薄膜的制造方法,其中该溶液层系选自水、有机 溶剂、混合溶液及其组合。 3.如申请专利范围第1项所述之具顺向性结构之奈 米薄膜的制造方法,其中该高分子胶体薄膜系由复 数个高分子凝胶区块凝集而成。 4.如申请专利范围第1项所述之具顺向性结构之奈 米薄膜的制造方法,其中该高分子胶体薄膜形成方 式系选自为紫外线交联、热交联及溶剂挥发悬浮 。 5.如申请专利范围第4项所述之具顺向性结构之奈 米薄膜的制造方法,其中更包含一添加交联剂的步 骤,使高分子胶体薄膜提升机械强度,该交联剂添 加量约为该高分子胶体薄膜之0.01至10重量百分率( Wt%)。 6.如申请专利范围第1项所述之具顺向性结构之奈 米薄膜的制造方法,其中该高分子胶体薄膜系选自 界面活性剂、分散乳胶、高分子电解质、具亲水 官能基与疏水官能基的共聚高分子及其组合。 7.如申请专利范围第4项所述之具顺向性结构之奈 米薄膜的制造方法,其中该高分子电解质以及同时 具亲水官能基与疏水官能基的共聚高分子之分子 量范围在1000至107道耳吞(Dalton)。 8.如申请专利范围第1项所述之具顺向性结构之奈 米薄膜的制造方法,其中该奈米材料系选自奈米粉 末、奈米管、奈米线、奈米纤维、奈米柱、凝集 之二次粒子及具有对称形状之奈米晶体。 9.一种具顺向性结构之奈米薄膜,系形成于一基板 表面,包含有: 复数个奈米材料,系呈顺向性排列以组成一顺向性 结构,该顺向性结构之形成系将该基板系伸入表面 具有一高分子胶体薄膜的一溶液层,该高分子胶体 薄膜系含有均匀分散之该奈米材料,再抽拉该基板 离开该溶液层与该高分子胶体薄膜,使散布于该高 分子胶体薄膜的该奈米材料附着于该基板。 10.如申请专利范围第9项所述之具顺向性结构之奈 米薄膜,其中该奈米材料系选自奈米粉末、奈米管 、奈米线、奈米纤维、奈米柱、凝集之二次粒子 及具有对称形状之奈米晶体。 11.如申请专利范围第9项所述之具顺向性结构之奈 米薄膜,其中更包含一高分子层,与该奈米材料形 成有机无机奈米复合薄膜。 12.如申请专利范围第9项所述之具顺向性结构之奈 米薄膜,其中该溶液层系选自水、有机溶剂、混合 溶液及其组合。 13.如申请专利范围第9项所述之具顺向性结构之奈 米薄膜,其中该高分子胶体薄膜系由复数个高分子 凝胶区块凝集而成。 14.如申请专利范围第9项所述之具顺向性结构之奈 米薄膜,其中该高分子胶体薄膜形成方式系选自为 紫外线交联、热交联及溶剂挥发悬浮。 15.如申请专利范围第9项所述之具顺向性结构之奈 米薄膜,其中更包含一添加交联剂的步骤,该交联 剂添加量约为该高分子胶体薄膜之0.0110重量百分 率(wt%)。 16.如申请专利范围第9项所述之具顺向性结构之奈 米薄膜,其中该高分子胶体薄膜系选自界面活性剂 、分散乳胶、高分子电解质、具亲水官能基与疏 水官能基的共聚高分子及其组合。 17.如申请专利范围第16项所述之具顺向性结构之 奈米薄膜,其中该高分子电解质以及同时具亲水官 能基与疏水官能基的共聚高分子之分子量范围在 1000至107道耳吞(Dalton)。 图式简单说明: 第1图至第4图为本发明第一实施例的制作流程示 意图; 第5图为本发明第一实施例之原子力显微镜照片; 第6A图为本发明第二实施例之原子力显微镜照片; 第6B图为本发明第二实施例之原子力显微镜照片; 第7图为本发明第三实施例之原子力显微镜照片; 及 第8图为本发明第四实施例之原子力显微镜照片。 |
