半导体存储装置

摘要

本发明涉及一种半导体存储装置，在现有的半导体存储装置中使用空位线构成的复制电路在将空位线充电时，因非导通漏泄电流而不能充电到所希望的电位。其结果是，由于向空位线充电的时间或放电的时间也与所希望的时间不同，故不能进行最佳的动作定时的设定。为解决该问题，本发明提供一种半导体存储装置，通过在虚拟存储元件阵列中在相同定时用与空位线充电电路相同结构的充电电路将虚拟存储元件的源极线充电，由此抑制非导通漏泄，从而生成合适的定时。

主权项

1.一种半导体存储装置，具备：将多个第一存储元件在位线方向及字线方向阵列状配置存储容量的量而成的第一存储元件阵列；对应地址输入，来分别选择所述第一存储元件阵列的第一位线及字线的列选择电路及行选择电路；对由所述列选择电路选择的所述第一位线进行充电的第一位线充电电路；具有至少包括两个第二位线组，且在所述第二位线组的方向配置，在所述第二位线组的至少一个位线上连接漏极，在其它位线上连接源极，向栅极输入规定电压的多个第二存储元件的第二存储元件阵列；对连接有所述第二存储元件阵列的所述漏极的所述位线进行充电的第二位线充电电路；以及对连接有所述第二存储元件阵列的所述源极的所述位线进行充电的第三位线充电电路，连接有所述第二存储元件阵列的漏极的位线和连接有源极的位线实质上同时被充电。