| 发明名称 | 压电电阻元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供压电电阻元件及其制造方法。第一课题在于提供受外部电场的影响(表面电场效应)引起的电阻值的变动小的压电电阻元件及其制造方法。并且，第二课题在于提供击穿耐压高且漏电流小的压电电阻元件及其制造方法。制造压电电阻元件的方法的特征在于，该方法包括：在半导体衬底上形成槽的工序；在槽内部形成与半导体衬底不同的导电类型的电阻层的工序；在电阻层的上部形成与半导体衬底相同的导电类型的硅层的工序。本发明的第二方式的压电电阻元件的特征在于，具有：一对接触区域，其形成在半导体衬底内；电阻层，其是与半导体衬底不同的导电类型，形成于在半导体衬底的一对接触区域之间形成的槽的内部；硅层，其是与半导体衬底相同的导电类型，形成在电阻层上。 | ||
| 申请公布号 | CN101038864A | 申请公布日期 | 2007.09.19 |
| 申请号 | CN200710004284.1 | 申请日期 | 2007.01.19 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 池上尚克 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L29/84(2006.01);H01L27/04(2006.01);G01P15/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄纶伟 |
| 主权项 | 1.一种制造压电电阻元件的方法，其特征在于，该制造压电电阻元件的方法包括：在半导体衬底上形成槽的工序；在所述的槽内部形成与所述半导体衬底不同的导电类型的电阻层的工序；以及在所述电阻层的上部形成与所述半导体衬底相同的导电类型的硅层的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||