| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种至少包括第一器件区域和第二器件区域的半导体衬底。第一器件区域具有沿着第一组等同晶面之一取向的基本平坦的表面，且第二器件区域包含具有沿着不同的第二组等同晶面取向的多个交错表面的突起半导体结构。可以使用这种半导体衬底形成半导体器件结构。具体而言，可以在第一器件区域形成第一场效应晶体管(FET)，其包括沿着第一器件区域的基本平坦的表面延伸的沟道。可以在第二器件区域形成第二互补FET，而第二互补FET包括沿着第二器件区域处的突起半导体结构的多个交错表面延伸的沟道。 | ||
| 申请公布号 | CN101086991A | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200710104830.9 | 申请日期 | 2007.05.21 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | T·W·戴尔;方隼飞;J·R·霍尔特 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：包括第一器件区域和第二器件区域的半导体衬底，其中所述第一器件区域具有沿着第一组等同晶面之一取向的基本平坦的表面，且其中所述第二器件区域包括具有沿着不同的第二组等同晶面取向的多个交错表面的突起半导体结构；位于所述第一器件区域处的第一场效应晶体管(FET)，所述第一FET包括沿着所述第一器件区域的基本平坦的上表面延伸的沟道；以及位于所述第二器件区域处的第二互补FET，所述第二互补FET包括沿着在所述第二器件区域的所述突起半导体结构的所述多个交错上表面延伸的沟道。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||