发明名称 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
摘要 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板,在基片上形成形成具有栅极的多条栅极线且在覆盖栅极线的栅极绝缘层上形成半导体层。在该栅极绝缘层上形成与栅极线交叉的多条数据线,并且沿着平行且邻接数据线的方向形成多个漏极。而且,形成多个存储电容器导体以与漏极连接且与邻接的栅极线重叠。在上述结构之上形成由有机材料组成的钝化层且具有接触孔。而且,形成多个像素电极以通过接触孔与漏极进行电连接。
申请公布号 CN100446252C 申请公布日期 2008.12.24
申请号 CN200410086667.4 申请日期 2004.12.10
申请人 三星电子株式会社 发明人 金景旭;尹珠爱;李成荣
分类号 H01L27/02(2006.01);H01L21/77(2006.01);G02F1/136(2006.01) 主分类号 H01L27/02(2006.01)
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 吴贵明;彭焱
主权项 1.一种薄膜晶体管阵列面板,其包括:绝缘基片;栅极线,形成于所述绝缘基片上;栅极绝缘层,形成于所述栅极线上;多个半导体层,形成于所述栅极绝缘层上;数据线,形成于所述半导体层上并且具有多个源极;漏极,平行于并且相邻于所述数据线延伸;导电层,与所述漏极电连接且重叠于邻近的所述栅极线;绝缘层,形成于或在所述半导体层、所述漏极线、所述漏极、以及所述导电层之上;以及像素电极,形成于所述绝缘层并且通过接触孔与所述导电层电极电连接,其中所述像素电极同时覆盖所述数据线和所述漏极。
地址 韩国京畿道