| 发明名称 | 红外线传感器IC、红外线传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种红外线传感器，其包括基板以及在该基板上形成的、由多个化合物半导体层层叠而成的化合物半导体的层叠体，上述化合物半导体的层叠体包括：在该基板上形成的、作为包含铟及锑且n型掺杂了的材料的第六化合物半导体层；在该第六化合物半导体层上形成的、作为包含铟及锑且未掺杂或p型掺杂了的材料的第七化合物半导体层；以及在该第七化合物半导体层上形成的、作为以比上述第七化合物半导体层更高的浓度进行了p型掺杂、且具有比上述第六化合物半导体层及上述第七化合物半导体层更大的带隙的材料的第八化合物半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN101459203A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200810179585.2 | 申请日期 | 2004.09.09 |
| 申请人 | 旭化成电子材料元件株式会社 | 发明人 | 上之康一郎;久世直洋;森安嘉贵;永濑和宏 |
| 分类号 | H01L31/102(2006.01)I;H01L31/103(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I;G01J5/20(2006.01)I;G01J5/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/102(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郭 放 |
| 主权项 | 1. 一种红外线传感器，其特征在于包括：基板，以及在该基板上形成的、由多个化合物半导体层层叠而成的化合物半导体的层叠体，上述化合物半导体的层叠体包括：在该基板上形成的、作为包含铟及锑且n型掺杂了的材料的第六化合物半导体层，在该第六化合物半导体层上形成的、作为包含铟及锑且未掺杂或p型掺杂了的材料的第七化合物半导体层，以及在该第七化合物半导体层上形成的、作为以比上述第七化合物半导体层更高的浓度进行了p型掺杂、且具有比上述第六化合物半导体层及上述第七化合物半导体层更大的带隙的材料的第八化合物半导体层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||