III族氮化物半导体发光元件

摘要

本发明系藉由使用低电阻且具有优越的平坦性之掺Ge的n型III族氮化物半导体层，即可获得具有低正向电压及优越的发光效率之III族氮化物半导体发光元件。本发明之III族氮化物半导体发光元件，系具有接合于由n型或p型之III族氮化物半导体所构成之结晶层之发光层，其特征为设置经添加镓(Ge)，且电阻率为1×10^–1～1×10^–3Ωcm之n型III族氮化物半导体层。