发明名称 |
用于形成太阳能电池的方法 |
摘要 |
一种薄膜太阳能电池及其形成工艺。太阳能电池包括底部电极层、半导体光吸收层、顶部电极层、以及保护性防潮层。在一些实施例中,防潮层由不易与水反应的材料形成。防潮层帮助保护顶部电极层免受由水和氧引起的暴露和损害。本发明提供了用于形成太阳能电池的方法。 |
申请公布号 |
CN103165712B |
申请公布日期 |
2016.09.14 |
申请号 |
CN201210526537.2 |
申请日期 |
2012.12.07 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
李文钦;邱永升;严文材;余良胜 |
分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0392(2006.01)I;H01L31/0749(2012.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种薄膜太阳能电池,包括:底部电极层,形成在衬底上;半导体吸收层,形成在所述底部电极层上;缓冲层,形成在所述吸收层上;顶部电极层,形成在所述缓冲层上,所述顶部电极层通过P2划线电连接至所述底部电极层,所述P2划线限定出延伸穿过所述缓冲层和所述吸收层的垂直沟道;保护性第一防潮层,形成在所述顶部电极层上,用于保护所述顶部电极层免受环境湿气和氧的损害,其中,所述第一防潮层由不易与水反应的材料形成,其中,所述第一防潮层延伸至所述P2划线内,并且所述第一防潮层仅形成在所述顶部电极层上及所述P2划线的侧壁与底部;P3划线形成完全穿过所述顶部电极、所述缓冲层、所述吸收层以及所述底部电极至所述衬底的垂直沟道;以及密封件,形成在所述第一防潮层上。 |
地址 |
中国台湾新竹 |