一种低噪声低损耗绝缘栅双极型晶体管

摘要

本发明涉及一种低噪声低损耗绝缘栅双极型晶体管，包括P型集电区、N型缓冲层、N型漂移区、槽栅结构、第一P型体区、第二P型体区、N型发射极体区、高掺杂N型埋层、发射极金属。其特征在于所述的高掺杂N型埋层位于第二P型体区内部表面下方，由此通过增加器件的表面电阻大大改善空穴的电流路径，使得器件在开关过程中位移电流大大降低，过冲大为减小，噪声大幅减弱。同时，由于保留了传统结构中的第二P型体区，也保留了传统结构良好的正向导通压降与关断损耗的折中关系。此结构工艺简单，易于实现。

主权项

一种低噪声低损耗绝缘栅双极型晶体管，包括P型集电极（1），在P型集电极（1）上设有P型集电区（2），在P型集电区（2）上设有N型缓冲层（3），在N型缓冲层（3）上设有N型漂移区（4），在N型漂移区（4）内设有间距相等的沟槽，所述沟槽自N型漂移区（4）向外延伸至N型漂移区（4）表面，在外侧沟槽与次外侧沟槽之间分别设有第一P型体区（12）且第一P型体区（12）设在N型漂移区（4）的表面上，在沟槽的内壁及槽底设有栅氧化层（5），在栅氧化层（5）内设有多晶硅栅（6），在两个第一P型体区（12）表面分别设有两个N型发射极体区（7），两个N型发射极体区（7）分别位于第一P型体区（12）表面与外侧沟槽形成的拐角处及第一P型体区（12）表面与次外侧沟槽形成的拐角处，在两个外侧沟槽上覆盖有第一氧化层（11）且第一氧化层（11）向内侧延伸并止于接触于外侧沟槽的N型发射极体区（7）的上方，在各N型发射极体区（7）上连接有发射极金属（10），其特征在于，在位于两个次外侧沟槽内侧的所有相邻沟槽之间设有与其对应两侧沟槽不相接的第二P型体区（8）且第二P型体区（8）设在N型漂移区（4）的表面上，所述第一P型体区（12）的顶面、沟槽顶面及第二P型体区（8）的顶面位于同一平面内，在两个次外侧沟槽的上方及两个次外侧沟槽之间的沟槽、第二P型体区（8）上方设有连续的第二氧化层（13），并且，连续的第二氧化层（13）的一端向外侧延伸并止于接触于上述一端次外侧沟槽的N型发射极体区（7）的上方，连续的第二氧化层（13）的另一端向外侧延伸并止于接触于上述另一端次外侧沟槽的N型发射极体区（7）的上方，在第二P型体区（8）内设有N型埋层（9）且N型埋层（9）位于第二P型体区（8）的表面下方，所述N型埋层（9）的掺杂浓度介于1×10⁹ cm^‑3~1×10²³cm^‑3之间。