一种背面形成方法

摘要

本发明公开了一种背面形成方法，用于对绝缘栅双极型晶体管器件的第一半成品进行加工，所述方法包括：在所述第一衬底正表面的至少一个第二区域以及所述M个多晶硅栅电极的正表面沉积钝化层，其中，所述至少一个第二区域为没有沉积所述M个栅氧化块的区域；从所述第一衬底的背面减薄所述第一衬底厚度，以使形成第二衬底；在所述第二衬底的背面注入第一离子，以形成P+区；对所述钝化层及所述P+区进行退火处理，以使所述P+区中的所述第一离子激活，及使所述钝化层的回流。

主权项

一种背面形成方法，用于对绝缘栅双极型晶体管器件的第一半成品进行加工，所述第一半成品包括有第一衬底，在所述第一衬底中形成的P型沟道区，在所述P型沟道区中形成的重掺杂N+源区，以及在所述第一衬底正表面的至少一个第一区域形成的M个栅氧化块，在所述M个栅氧化块上形成的M个多晶硅栅电极，M为大于等于1的整数，其特征在于，所述方法包括：在所述第一衬底正表面的至少一个第二区域以及所述M个多晶硅栅电极的正表面沉积钝化层，其中，所述至少一个第二区域为没有沉积所述M个栅氧化块的区域；从所述第一衬底的背面减薄所述第一衬底厚度，以使形成第二衬底；在所述第二衬底的背面注入第一离子，以形成P+区；对所述钝化层及所述P+区进行退火处理，以使所述P+区中的所述第一离子激活，及使所述钝化层的回流。