GAN-类LED用反射接触

摘要

本发明涉及GAN-类LED用反射接触。公开具有反射接触的发光二极管(LED)组件的形成方法，和提供该方法形成的LED组件。在一个实施方案中，该方法包括形成在基板表面上形成LED，所述LED包括在具有第一导电性类型的包括化合物半导体材料的第一层与具有第二导电性类型的包括化合物半导体材料的第二层之间设置的发光层，所述化合物半导体材料包括III族元素和V族元素。该方法进一步包括形成从第一层的与第二层相反的表面向内延伸的氧化区域。在一个实施方案中，氧化区域通过将第一层的表面进行氧(O₂)等离子体灰化来形成。

主权项

一种发光二极管LED组件，其包括：包括在具有第一导电性类型的包括III‑V族半导体材料的第一层与具有第二导电性类型的包括III‑V族半导体材料的第二层之间设置的发光层的LED，所述第一层具有从所述第一层的与所述第二层相反的表面向内延伸的氧化区域；和设置于所述第一层的与所述第二层相反的表面上且电连接至所述第一层的第一接触。