| 发明名称 | 一种压接型IGBT串联的电容推挽线性隔离高电位自取能电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种压接型IGBT串联的电容推挽线性隔离高电位自取能电路，包括前馈取能电路和DC-DC取能变换器；所述前馈取能电路并联在压接型IGBT的漏极和栅极之间，所述前馈取能电路通过DC-DC取能变换器连接GU驱动板，所述GU驱动板的输出端连接压接型IGBT的栅极。本发明提供的压接型IGBT串联的电容推挽线性隔离高电位自取能电路，利用大容量电容器作为能量池，以电容推挽的工作方式实现自动均压，最终实现高压IGBT在串联应用条件下自取能供给IGBT驱动保护电路。 | ||
| 申请公布号 | CN105991006A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510064630.X | 申请日期 | 2015.02.06 |
| 申请人 | 国家电网公司;国网智能电网研究院 | 发明人 | 李卫国;赵东元;蔚泉清 |
| 分类号 | H02M1/08(2006.01)I;H02M3/337(2006.01)I | 主分类号 | H02M1/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人 | 徐国文 |
| 主权项 | 一种压接型IGBT串联的电容推挽线性隔离高电位自取能电路，其特征在于：所述电路包括前馈取能电路和DC‑DC取能变换器；所述前馈取能电路并联在压接型IGBT的漏极和栅极之间，所述前馈取能电路通过DC‑DC取能变换器连接GU驱动板，所述GU驱动板的输出端连接压接型IGBT的栅极。 | ||
| 地址 | 100031 北京市西城区西长安街86号 | ||