| 主权项 |
1.一种使用双耦合馈送之多频带多层晶片天线,包 括: 第一馈送辐射元件,包括一端连接至馈送线且另一 端连接至接地表面之第一馈送电极,且该第一馈送 电极系沿着预定方向在第一平面形成,使该第一馈 送辐射元件连接至第一馈送电极,以便令该第一馈 送辐射元件具有空间蛇行线结构; 第二馈送辐射元件,连接至该第一馈送电极之位于 与该第一平面平行之第二平面上之部份,以令该第 二馈送辐射元件具有平面蛇行线结构; 第二馈送电极,连接至该第一馈送电极之位于与该 第一平面平行之第三平面上之部份; 第一寄生辐射元件,电性耦接至该第二馈送电极; 以及 第二寄生辐射元件,电性耦接至该第一寄生辐射元 件且包括复数个寄生图案。 2.如申请专利范围第1项之多频带多层晶片天线,其 中,该第一馈送辐射元件包括: 以预定距离彼此隔开且与该第一馈送电极平行之 复数个带状线; 第一连接图案,将该复数个带状线中与该第一馈送 电极相邻之带状线连接至第一馈送电极;以及 第二连接图案,包括复数个图案分别将该复数个带 状线中两两相邻之带状线相连接,以形成该蛇行线 结构。 3.如申请专利范围第1项之多频带多层晶片天线,其 中,该第一馈送辐射元件之第一馈送电极包括: 两个馈送图案,将该第一馈送图案的一端连接至该 馈送线以及将该第一馈送图案另一端连接至接地 表面,并且系与该第一平面平行;以及 馈送连接图案,用于连接该馈送图案相邻两端,且 该第一馈送电极具有倒F形状。 4.如申请专利范围第2项之多频带多层晶片天线,其 中,该第一馈送辐射元件之第一连接图案包括: 第一垂直连接图案,系从该第一馈送电极一端向上 形成, 第二垂直连接图案,系从该复数个带状线中与该第 一馈送电极相邻之带状线一端向上形成;以及 水平连接图案,在与该第一平面平行但不同于该第 一平面之其他平面上连接该第一和第二垂直连接 图案。 5.如申请专利范围第2项之多频带多层晶片天线,其 中,该第一馈送辐射元件之第二连接图案包括: 复数个垂直连接图案,系从该复数个带状线的每一 端向上形成;以及 复数个水平图案,在与该第一平面平行但不同于该 第一平面的另一个平面上连接该复数个垂直连接 图案中两个彼此相邻垂直图案以作为一对垂直图 案,该复数个水平图案是互相分开而形成者。 6.如申请专利范围第5项之多频带多层晶片天线,其 中,该第一馈送辐射元件之水平连接图案系在形成 有该第二馈送辐射元件之第二平面以及形成有该 第二馈送电极之第三平面间的平面形成。 7.如申请专利范围第5项之多频带多层晶片天线,其 中,该第一馈送辐射元件之水平连接图案系以线性 图案形成。 8.如申请专利范围第5项之多频带多层晶片天线,其 中,该第一馈送辐射元件之水平连接图案系以非线 性图案形成。 9.如申请专利范围第1项之多频带多层晶片天线,其 中,该第二馈送辐射元件包括: 馈送图案,与该第一馈送电极的一个图案连接;以 及 辐射图案,与该第一馈送电极其他图案连接,以具 有该蛇行线结构。 10.如申请专利范围第3项之多频带多层晶片天线, 其中,该第二馈送电极是沿着与该第一馈送元件的 一个馈送图案相同方向平行之方向形成。 11.如申请专利范围第1项之多频带多层晶片天线, 其中,该第一寄生辐射元件系沿着与该第二馈送电 极垂直之方向形成。 12.如申请专利范围第1项之多频带多层晶片天线, 其中,该第二寄生辐射元件之复数个寄生图案的每 一个寄生图案包括位于该第一寄生辐射元件下部 与该第一寄生辐射元件方向垂直之下侧图案。 13.如申请专利范围第1项之多频带多层晶片天线, 其中,该第二寄生辐射元件之复数个寄生图案的每 一个寄生图案均包括: 双侧图案,包括以预定距离从该第一寄生辐射元件 400之两侧隔开而各有向与该第一寄生辐射元件成 垂直方向形成之预定长度之第一图案与第二图案; 形成于该第一寄生辐射元件之下部而垂直于该第 一寄生辐射元件之方向之下侧图案; 第一连接图案,连接该双侧图案中之第一图案之一 端与该下侧图案之一端,该第一连接图案垂直于该 第一图案及该下侧图案;以及 第二连接图案,连接该双侧图案中之第二图案之一 端与该下侧图案之另一端,该第二连接图案垂直于 该第二图案及该下侧图案。 14.如申请专利范围第13项之多频带多层晶片天线, 其中,该第二寄生辐射元件之复数个寄生图案系等 距离分开。 图式简单说明: 第1图系显示习知多层晶片天线之结构之示意图; 第2图系显示依据本发明之多层晶片天线的结构之 示意图; 第3图系第2图中之多层晶片天线的前视图; 第4图系本发明之第一馈送辐射元件的示意图; 第5图系显示第4图之部份A的放大示意图; 第6图系本发明之第二馈送辐射元件的示意图; 第7图系本发明之双寄生元件的放大示意图; 第8图系显示第7图之部份B的放大示意图;以及 第9a和第9b图系依据本发明之晶片天线的VSWR特性 之示意图。 |
