| 主权项 |
1.一种用于在使用含氟气体来清洗及/或乾燥电浆 蚀刻室之后接着以极微的电浆蚀刻速率变异来连 续加工一系列半导体基板之方法,该方法包括步骤 : (a)将半导体基板放在一电浆蚀刻室内的基板支架 上; (b)使该电浆蚀刻室维持在真空状态; (c)将含HBr之蚀刻气体供应至该电浆蚀刻室并且供 给能量至蚀刻气体以在该电浆蚀刻室内形成电浆, 而得以蚀刻所曝露之基板多晶矽表面; (d)自该电浆蚀刻室取出该基板;及 (e)以重复步骤(a-d)来连续蚀刻在该电浆蚀刻室内 另外的基板,蚀刻步骤之进行系藉由使围绕基板之 碳化矽边缘环上的H与Br重组速度降至最低以维持 在足以抵消整个基板之Br消耗速率的速率。 2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该半导体基 板是具有在步骤(c)期间以纯HBr蚀刻之多晶矽层之 矽晶圆。 3.根据申请专利范围第1项之方法,其中将步骤(c)期 间的该电浆蚀刻室维持在小于100毫托之真空压力 下。 4.根据申请专利范围第1项之方法,其中在步骤(c)期 间,以基板支架将RF偏压施加至基板上,以至于RF偏 压会使边缘环上的沉积堆聚降至最低。 5.根据申请专利范围第1项之方法,其中该构件包含 碳化矽之边缘环。 6.根据申请专利范围第1项之方法,其中蚀刻步骤系 在原位清洗及乾燥该电浆蚀刻室之步骤之后。 7.根据申请专利范围第1项之方法,其中蚀刻系在以 感应方式耦接之电浆反应器中进行,其中将边缘环 上表面设置在经曝露之多晶矽表面上。 8.根据申请专利范围第1项之方法,其中利用藉由一 介电构件而隔离于该电浆蚀刻室内部之平面状或 非平面状天线供给能量至蚀刻气体而成为电浆态, 使该介电构件至少与该基板支架共延伸。 9.根据申请专利范围第8项之方法,其中经由该介电 构件中至少一气体入口将蚀刻气体供应至该电浆 蚀刻室。 10.一种电浆蚀刻装置,其包含 一电浆蚀刻室,其内部具有一基板支架,该电浆蚀 刻室包括朝向该基板支架之介电构件; 一气体供应器,用于将含HBr气体供应至该电浆蚀刻 室内部; 一天线,其藉由该介电构件而隔离于该电浆蚀刻室 内部,该天线使RF能量通过介电构件及供给能量至 蚀刻气体而成为电浆态; 一真空泵,用于抽空该电浆蚀刻室内部; 一碳化矽边缘环,其环绕基板支架周围;及 一基板,其包括欲蚀刻之多晶矽层,将基板设置在 基板支架上,以至于该边缘环与该基板相隔离一段 间隙,该间隙大小足以允许在将该基板支架上的基 板下降及上升,而不会使基板与边缘环内周围接触 。 11.根据申请专利范围第10项之电浆蚀刻装置,其中 该边缘环具有在平面上与多晶矽层平行之宽度,该 宽度是在平面上之基板最大尺寸之至少20%。 12.根据申请专利范围第10项之电浆蚀刻装置,其中 该真空泵使该电浆蚀刻室内部维持在小于100毫托 之真空压力下。 13.根据申请专利范围第10项之电浆蚀刻装置,其中 该基板支架包括将不超过500瓦之RF偏压施加至基 板之电极。 14.根据申请专利范围第10项之电浆蚀刻装置,其中 该边缘环系由CVD SiC所组成。 15.根据申请专利范围第10项之电浆蚀刻装置,其中 该边缘环包含以CVD SiC涂布之熔结之SiC。 16.根据申请专利范围第10项之电浆蚀刻装置,其中 该边缘环自该基板支架的外围延伸至该基板的外 边缘。 17.根据申请专利范围第10项之电浆蚀刻装置,其中 该介电构件至少会与该基板支架共延伸。 18.根据申请专利范围第17项之电浆蚀刻装置,其中 该介电构件包括至少一入口,会经由该入口将蚀刻 气体供应至该电浆蚀刻室内部。 19.根据申请专利范围第10项之电浆蚀刻装置,其中 基板包含一具有多晶矽层之矽晶圆,并且气体供应 器将HBr及Cl2供应至该电浆蚀刻室内。 20.根据申请专利范围第10项之电浆蚀刻装置,其中 该边缘环具有在基板上充份间隔之上表面,以补偿 在基板边缘之电场效应。 图式简单说明: 图1展示可用于进行本发明方法之电浆蚀刻室概要 的横截面图示。 |
