Verfahren zur Herstellung eines hoch Tc supraleitenden Materials und nach dem Verfahren hergestellter Artikel,申请号DE19906031375T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung eines hoch Tc supraleitenden Materials und nach dem Verfahren hergestellter Artikel
摘要
申请公布号	DE69031375(T2)	申请公布日期	1998.03.26
申请号	DE19906031375T	申请日期	1990.11.21
申请人	AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US	发明人	JIN, SUNGHO, MILLINGTON, NEW JERSEY 07946, US;NAKAHARA, SHOHEI, NORTH PLAINFIELD, NEW JERSEY 07060, US;TIEFEL, THOMAS HENRY, NORTH PLAINFIELD, NEW JERSEY 07060, US
分类号	C01B13/14;C01G1/00;C01G3/00;C04B35/45;H01B12/00;H01B13/00;H01L39/12;H01L39/14;H01L39/24;(IPC1-7):C04B35/00	主分类号	C01B13/14
代理机构		代理人
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