| 发明名称 |
Method of fabricating a capacitor over bitline DRAM cell |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2336031(A) |
申请公布日期 |
1999.10.06 |
| 申请号 |
GB19980026095 |
申请日期 |
1998.11.27 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS CO LIMITED |
发明人 |
BYUNG-JUN * PARK |
| 分类号 |
H01L27/108;H01L21/8242;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L27/108 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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