发光二极体之制程

摘要

一种发光二极体之制程，是将磊晶制备完成之发光二极体晶圆分割成复数发光二极体晶粒，该制程是先在发光二极体晶圆表面形成一可遮覆表面及每一分割槽的底部的遮覆层，再以雷射在遮覆每一分割槽底部的部分遮覆层表面，以平行于每一分割槽长度的方向向下形成崩裂道，移除遮覆层后，分别对应每一崩裂道再自晶圆底面向上形成一对应崩裂道，且每一对应崩裂道之深度小于晶圆基板厚度，最后在崩裂道施加应力，使发光二极体晶圆沿每一分割槽被分割成复数发光二极体晶粒。