薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管，其包括一基底、一源极、一漏极、一通道区域、一栅极绝缘层、一钝化层及一栅极，该源极、漏极及通道区域形成于该基底上且位于同一层，该通道区域位于该源极及漏极之间，该栅极绝缘层形成于该通道区域上，该钝化层形成于该源极、漏极及通道区域上，且位于该栅极绝缘层两侧，该钝化层介电常数小于栅极绝缘层介电常数，该栅极形成于该栅极绝缘层及部分钝化层上，且与该通道区域对应。该薄膜晶体管漏电流较小、可靠性高。本发明还提供该薄膜晶体管之制造方法。

主权项

1.一种薄膜晶体管，其包括一基底、一源极、一漏极、一通道区域、一栅极绝缘层、一钝化层、一栅极及一金属层图案，该源极、漏极及通道区域形成在该基底上且位于同一层，该通道区域位于该源极及漏极之间，该栅极绝缘层形成在该通道区域上，该钝化层形成在该源极、漏极及通道区域上，且位于该栅极绝缘层两侧，该钝化层包括多个接触孔，该金属层图案设置在该钝化层上，且通过该多个接触孔与该源极、漏极及栅极欧姆接触，其特征在于：该钝化层介电常数小于栅极绝缘层介电常数，该栅极形成在该栅极绝缘层及部分钝化层上，且与该通道区域对应。