发明名称 降低负载值的只读存储器
摘要 本发明涉及一种只读存储器,借由增加多列辅助开关,使得当要读取一特定的存储单元时,可形成多个电流路径以降低负载值。如此,可使电流的大小加大,使得感测放大器产生误判的几率降低。
申请公布号 CN100446115C 申请公布日期 2008.12.24
申请号 CN02123084.6 申请日期 2002.06.13
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 陈世宪
分类号 G11C7/00(2006.01) 主分类号 G11C7/00(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 潘培坤;陈红
主权项 1.一种只读存储器,包括多个字元线,这些字元线是相互平行,该只读存储器是包括K个存储区块,该K个存储区块的一为一第n个存储区块,其特征在于,该第n个存储区块包括:一第一主位元线(BL(n));多个第一选择开关及多个第二选择开关,是分别由一第一选择线及第二选择线所控制;一第一次位元线(SB1(n))、第二次位元线(SB2(n))、第三次位元线(SB3(n))及第四次位元线(SB4(n)),当这些第一选择开关导通时,该第一主位元线(BL(n))是电性连接至该第二次位元线(SB2(n))与该第三次位元线(SB3(n)),而当这些第二选择开关导通时,该第一主位元线(BL(n))是电性连接至该第三次位元线(SB3(n))与该第四次位元线(SB4(n));多个第一辅助开关与多个第二辅助开关,这些第一辅助开关是由一第一辅助线(SL1)所控制,而这些第二辅助开关是由一第二辅助线(SL2)所控制,至少部分的这些第一辅助开关与该第二辅助开关是具有低临界电压;以及多个存储单元,是由这些字元线所控制,每个存储单元是位于相邻的两个次位元线之间;一第二主位元线(GL(n));多个第三选择开关及多个第四选择开关,是分别由一第三选择线及一第四选择线所控制,当这些第三选择开关导通时,该第二主位元线(GL(n))是电性连接至一第n-1个存储区块的一第四次位元线(SB4(n-1))与该第一次位元线(SB1(n)),而当这些第四选择开关导通时,该第二主位元线(GL(n))是电性连接至该第一次位元线(SB1(n))与该第二次位元线(SB2(n));以及多个第三辅助开关与多个第四辅助开关,这些第三辅助开关是由一第三辅助线(AL3)所控制,而这些第四辅助开关是由一第四辅助线(AL4)所控制,至少部分的这些第三辅助开关与该第四辅助开关是具有低临界电压。
地址 台湾省新竹