局部形成自对准金属矽化物之方法

摘要

本发明系为一种形成自对准金属矽化物(salicide)之方法，特别是有关于一种在部分区域形成自对准金属矽化物之方法。本发明利用一矽层所作为遮罩层(mask layer)以顺利在逻辑电路(logic circuit)上局部形成自对准金属矽化物。在晶胞阵列(cell array)的区域上，只有在闸极上形成金属矽化物，而在扩散区域(diffusion region)则无金属矽化物。而在周边电路区域(periphery region)上，闸极与扩散区域均可形成金属矽化物。本发明之方法可使半导体元件获得较低之电阻，且较不会产生漏电流之缺陷。

主权项

1.一种在一局部区域形成一自对准金属矽化物的 方法,其中至少包含: 提供一晶圆,该晶圆至少包含一底材; 形成一第一氧化物层于该底材上; 形成一氮化物层于该第一氧化物层上; 形成一第二氧化物层于该氮化物层; 移除部分之该第二氧化物层、氮化物层与第一氧 化物层以在该晶圆之一第一区域露出该底材; 形成一第三氧化物层于该第一区域之该底材上; 形成一矽层于该第二氧化物层与该第三氧化物层 上; 移除部分之该矽层以在该第一区域上形成一多数 个第一闸极与一多数个第一扩散区域,该多数个第 一扩散区域位于该多数个第一闸极之一侧; 形成一间隙壁于该多数个第一闸极与该矽层之一 侧壁; 植入一离子以在该多数个第一扩散区域内形成一 源极/汲极区域; 形成一金属层于该多数个第一闸极、该多数个第 一扩散区域与该矽层上; 进行一快速加热制程以在该多数个第一闸极、该 多数个第一扩散区域与该矽层上形成一金属矽化 物层; 移除该金属层;及 移除部分该矽层与部分之该金属矽化物层以在该 晶圆之一第二区域上形成一多数个第二闸极与一 多数个第二扩散区域。 2.如申请专利范围第1项的方法,其中上述之金属层 之一材料为钛。 3.如申请专利范围第1项的方法,其中上述之金属层 之一材料为钴。 4.如申请专利范围第1项的方法,其中上述之金属层 之一材料为白金。 5.如申请专利范围第1项的方法,其中上述之第一区 域为一周边电路区域。 6.如申请专利范围第1项的方法,其中上述之第二区 域为一晶胞阵列区域。 7.一种在一局部区域形成一自对准金属矽化物的 方法,其中至少包含: 提供一晶圆,该晶圆至少包含一底材; 形成一第一氧化物层于该底材上; 形成一氮化物层于该第一氧化物层上; 形成一第二氧化物层于该氮化物层; 移除部分之该第二氧化物层、氮化物层与第一氧 化物层以在该晶圆之一第一区域露出该底材; 形成一第三氧化物层于该第一区域之该底材上; 形成一矽层于该第二氧化物层与该第三氧化物层 上; 移除部分之该矽层以在该第一区域上形成一多数 个第一闸极与一多数个第一扩散区域,该多数个第 一扩散区域位于该多数个第一闸极之一侧; 形成一轻掺杂汲极于该多数个第一扩散区内; 形成一间隙壁于该多数个第一闸极与该矽层之一 侧壁; 植入一离子以在该多数个第一扩散区域内形成一 源极/汲极区域; 形成一金属层于该多数个第一闸极、该多数个第 一扩散区域与该矽层上; 进行一第一快速加热制程以在该多数个第一闸极 、该多数个第一扩散区域与该矽层上形成一金属 矽化物层; 移除该金属层并进行一第二快速加热制程;及 移除部分该矽层与部分之该金属矽化物层以在该 晶圆之一第二区域上形成一多数个第二闸极与一 多数个第二扩散区域。 8.如申请专利范围第7项的方法,其中上述之金属层 之一材料为钛。 9.如申请专利范围第7项的方法,其中上述之金属层 之一材料为钴。 10.如申请专利范围第7项的方法,其中上述之金属 层之一材料为白金。 11.如申请专利范围第7项的方法,其中上述之第一 区域为一周边电路区域。 12.如申请专利范围第7项的方法,其中上述之第二 区域为一晶胞阵列区域。 13.一种在一局部区域形成一自对准金属矽化物的 方法,其中至少包含: 提供一晶圆,该晶圆至少包含一底材,该底材至少 包含一第一区域与一第二区域; 形成一氧化物层于该底材上; 形成一矽层于该氧化物层上; 移除部分之该矽层以在该第一区域上形成一多数 个第一闸极与一多数个第一扩散区域,该多数个第 一扩散区域位于该多数个第一闸极之一侧; 形成一间隙壁于该多数个第一闸极与该矽层之一 侧壁; 植入一离子以在该多数个第一扩散区域内形成一 源极/汲极区域; 形成一金属层于该多数个第一闸极、该多数个第 一扩散区域与该矽层上; 进行一快速加热制程以在该多数个第一闸极、该 多数个第一扩散区域与该矽层上形成一金属矽化 物层; 移除该金属层;及 移除部分该矽层与部分之该金属矽化物层以在该 晶圆之一第二区域上形成一多数个第二闸极与一 多数个第二扩散区域。 14.如申请专利范围第13项的方法,其中上述之金属 层之一材料为钛。 15.如申请专利范围第13项的方法,其中上述之金属 层之一材料为钴。 16.如申请专利范围第13项的方法,其中上述之金属 层之一材料为白金。 17.如申请专利范围第13项的方法,其中上述之第一 区域为一周边电路区域。 18.如申请专利范围第13项的方法,其中上述之第二 区域为一晶胞阵列区域。 图式简单说明: 第一图为运用传统技术在金氧半电晶体上沉积一 钛金属层之示意图; 第二图为运用传统技术在闸极区域与源极/汲极区 域上形成钛矽化物之示意图; 第三图为在晶圆底材上形成第一氧化物层、氮化 物层与第二氧化物层之示意图; 第四图为移除周边电路区域之第一氧化物层、氮 化物层与第二氧化物层之示意图; 第五图为形成一第三氧化物层于周边电路区域之 底材上之示意图; 第六图为形成一矽层于第二氧化物层与第三氧化 物层上之示意图; 第七图为在周边电路区域形成多数个第一闸极与 多数个第一扩散区,并在多数个第一扩散区内形成 轻掺杂汲极之示意图; 第八图为在晶胞阵列区域上之矽层与多数个第一 闸极的侧壁上形成间隙壁之示意图; 第九图为在多数个第一扩散区内形成源极/汲极之 示意图; 第十图为形成一金属层于晶胞阵列区域上之矽层 、多数个第一闸极与多数个第一扩散区上之示意 图; 第十一图为在晶胞阵列区域上之矽层、多数个第 一闸极与多数个第一扩散区上形成金属矽化合物 层之示意图;及 第十二图为在第二氧化物层上形成多数个第二闸 极与多数个第二扩散区域之示意图。