发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明的实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法,可实现在衬底上设置有多个半导体芯片的半导体装置的薄型化。根据一实施方式,半导体装置包括衬底,该衬底具有第一面、及与所述第一面为相反侧的第二面。进而,所述装置包括:第一半导体芯片,设置在所述衬底的所述第一面;及第二半导体芯片,设置在所述衬底的所述第二面,且覆盖贯通所述衬底的开口的至少一部分。进而,所述装置包括第三半导体芯片,该第三半导体芯片在所述开口内,经由接着剂而设置在所述第二半导体芯片的所述衬底侧的面。
申请公布号 CN105990329A 申请公布日期 2016.10.05
申请号 CN201510096632.7 申请日期 2015.03.04
申请人 株式会社东芝 发明人 松浦永悟;竹本康男
分类号 H01L25/18(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I 主分类号 H01L25/18(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 张世俊
主权项 一种半导体装置,其特征在于包括:衬底,包含第一面、及与所述第一面为相反侧的第二面;第一半导体芯片,设置在所述衬底的所述第一面;第二半导体芯片,设置在所述衬底的所述第二面,且覆盖贯通所述衬底的开口的至少一部分;以及第三半导体芯片,在所述开口内,经由接着剂而设置在所述第二半导体芯片的所述衬底侧的面。
地址 日本东京