| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第1电极、第1绝缘层、及第2电极。第1半导体区域具有第1区域与第2区域。第2区域设置于第1区域的周围。第2半导体区域设置于第1半导体区域上。第3半导体区域设置于第1半导体区域上。第1电极设置于第3半导体区域上。第1电极与第3半导体区域电性连接。第1绝缘层设置于第1电极上。第2电极设置于第2半导体区域上。第2电极与第2半导体区域电性连接。第2电极的一部分位于第1绝缘层上。 | ||
| 申请公布号 | CN105990437A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510553386.3 | 申请日期 | 2015.09.02 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 泉泽优;石桥弘;大田浩史;佐伯秀一;奥畠隆嗣;小野升太郎 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于具备：第1导电型的第1半导体区域，包含第1区域及第2区域，第2区域设置于第1区域的周围；第2导电型的第2半导体区域，在所述第1区域中设置于所述第1半导体区域上；第1导电型的第3半导体区域，在所述第2区域中设置于所述第1半导体区域上；第1电极，设置于所述第3半导体区域上，所述第1电极与所述第3半导体区域电性连接；第1绝缘层，设置于所述第1电极上；以及第2电极，设置于所述第2半导体区域上，所述第2电极与所述第2半导体区域电性连接，所述第2电极的一部分位于所述第1绝缘层上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||