| 摘要 |
본 발명은 플라즈마 화학기상증착 프로세스의 전계제어기법을 이용하여 500[℃] 이하의 온도에서 수분이내의 짧은 시간에 그래핀을 성장시킬 수 있도록 한 플라즈마 화학기상증착 프로세스의 전계제어기법을 이용한 그래핀 나노월 성장 방법에 관한 것이다.이를 위한 본 발명은, 플라즈마 챔버내부에 위치한 기판상에 정전압(혹은 ＋전압)을 인가하여 금속기판 상에 존재하는 산화물을 제거하고, 산화물이 제거된 금속기판상에 부전압(혹은 －전압)을 인가하여 탄소 양이온을 기판으로 이동시켜 탄소 박막을 증착시키되, 기판상에 바이어스를 박막 성장방향의 수직 및 수평 방향으로 전계를 제어하여 탄소 박막을 증착시킨다. 그리고 수소 혹은 수소 가스의 비율이 높은 가스조성의 플라즈마 중에서 탄소성분을 포함한 비도전성 막을 탄소결합의 도전성 막으로 변환시키는 단계를 포함한다.따라서 본 발명은, 전술한 종래 그래핀 성장기술인 열화학기상증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition, TCVD)의 단점을 극복할 수 있음은 물론, 임의의 기판상에 탄소를 포함하고 있는 비도전성 막을 500[℃] 이하의 낮은 온도에서 효율적으로 성장시키며, 수소 혹은 수소와 아르곤(혹은 불활성가스)으로 구성된 가스 분위기 하에서 플라즈마 화학기상증착 프로세스에 의해 비도전성 막을 도전성 탄소막인 그래핀 나노월로 변환시킬 수 있는 효과가 있다. |
