Halbleitersubstrat für eine Blitzlampentemperung, Tempersubstrat, Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleitersubstrat für eine Blitzlampentemperung, die in einem Herstellungsprozess zum Durchführen einer Ionenimplantation zum Bilden eines p-n-Übergangs auf einer Halbleitersubstratoberfläche und zum Ausheilen eines Ionenimplantationsdefekts mittels der Blitzlampentemperung verwendet wird, wobei die Kohlenstoffkonzentration des Halbleitersubstrats 0,5 ppma oder weniger beträgt. Demgemäß ist es möglich, das Halbleitersubstrat für eine Blitzlampentemperung vorzusehen, mit der leicht und sicher mittels eines Blitzlampentemperprozesses verhindert werden kann, dass der Ionenimplantationsdefekt in einem Bauelement bestehen bleibt.