Method of making a rotary groove at the border of a semiconductor wafer of a power semiconductor device.

摘要

Bei einem Verfahren zum Anbringen einer umlaufenden Hohlkehle (8) am Rand einer Halbleiterscheibe (5) eines Leistungshalbleiter-Bauelements wird zunächst der Rand plan geschliffen und dann die Hohlkehle (8) mittels einer am Rand entsprechend konturierten Profilschleifscheibe (3) in einem Arbeitsgang eingeschliffen. Mit Diamantschleifscheiben entsprechender Körnung und geeigneter Bindung der Dimantkörner wird eine besonders hohe Ausbeute erreicht.