| 发明名称 | 晶片表面处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种处理称为施主晶片(10)的第一晶片和称为接收晶片(20)的第二晶片的任一个或两个称为键合表面的表面(12，22)的方法，这两个晶片将互相键合。该方法特征之处在于，它包括通过向所述键合表面(12，22)施加处理溶液，在键合所述施主晶片(10)和接收晶片(20)之前立即实施的清洗及激活步骤。该溶液包含至少97％的氨的水溶液(NH<SUB>4</SUB>OH)，优选为去离子水溶液，其重量浓度范围约从0.05％至2％。本发明适合制造用于光学、电子学或光电子学领域的结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101088154A | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200580044846.4 | 申请日期 | 2005.12.21 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | C·马勒维尔;D·德尔普拉;C·德拉特;F·梅特拉尔 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 1、一种处理称为“施主”晶片的第一晶片(10)和称为“接收”晶片的第二晶片(20)的一个或另一个或两个称为“键合”表面的表面(12，22)的方法，这两个晶片将互相键合，以制造用于光学、电子学或光电子学领域的结构，该方法特征在于：其包括通过向所述键合表面(12，22)施加称为“表面处理”的溶液，在键合所述施主晶片(10)和接收晶片(20)之前立即实施的清洗及激活步骤，该溶液包含至少约97％的氨的水溶液(NH4OH)，优选为去离子水溶液，重量浓度范围约从0.05％至2％。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||