单边迟滞比较器

摘要

本实用新型公开了一种单边迟滞比较器，该电路是为低压低功耗芯片中的保护电路或者是检测电路专门设计。该电路电流源、二个输入MOS管、三个负载MOS管和迟滞调节器，其中迟滞调节器用于调节比较器的阈值，由负载MOS管、反馈MOS管和反馈开关组成。该电路单边阈值与电路器件参数无关，即只要固定了比较器一个输入端电压就可以精确确定单边阈值。电路具有不对称的正反馈回路构成迟滞比较器的迟滞电路，能产生阈值电压并能完成比较功能。在此基础上加入提供相应输出电压摆幅和合理输出电阻的输出级电路以及相应的反馈支路。电路本身是一个相对独立的部分。电路中还设置了合适的正反馈支路以及输出级支路，以及提供了静电保护作用的MOS管和电阻。

主权项

1.一种单边迟滞比较器，其特征在于：它包括NMOS管N1和N2、PMOS管P1、P2、P5和迟滞调节器(11)，迟滞调节器(11)由负载PMOS管P7、反馈PMOS管P8和反馈开关S1构成，用于调节比较器的阈值；NMOS管N1和N2对称，PMOS管P1、P2、P5和P7的宽长比相等；其中，NMOS管N1管栅极作为正输入端Vin1，NMOS管N2管的栅极作为负输入端Vin2，它们的源极相连，同时接尾电流源I1的正端；电流源I1的负端接地；NMOS管N1漏极与PMOS管P1漏极相连，并连接到迟滞调节器(11)中负载PMOS管P7漏极以及反馈开关S1的负极；开关S1的正极和PMOS管P8的漏极相连；PMOS管P1漏级与栅级相连，成二极管连接；N2的漏极与PMOS管P2漏极相连，同时连接到PMOS管P5的漏极；PMOS管P2漏极与其栅极相连，成二级管连接结构；PMOS管P1与P5栅极相连，迟滞调节器(11)中PMOS管P7、P8的栅极与PMOS管P2栅极相连；PMOS管P1、P2、P5、P7、P8源极相连，一起接入电源VDD；比较器的负输出端VO1从NMOS管N1的漏极引出，比较器的正输出端VO2 从NMOS管N2管的漏极引出。