耐高电压元件及其制造方法

摘要

本发明揭示一种耐高电压元件，其包含一半导体衬底及一栅极。所述半导体衬底包含一具有第一导电型的第一掺杂区域、一具有第二导电型的第二掺杂区域、一具有第二导电型的第三掺杂区域、一包围所述第三掺杂区域且具有第二导电型的第四掺杂区域以及一包围所述第三掺杂区域且具有第二导电型的第五掺杂区域。所述栅极紧邻设置在两个间隙壁之间且分隔所述第二掺杂区域及所述第三掺杂区域，用以控制所述第二掺杂区域及所述第三掺杂区域的导通。所述耐高电压元件利用所述第五掺杂区域包围所述第三掺杂区域，以强化对于所述第三掺杂区域的包覆性，改善所述第三掺杂区域底部的离子浓度均匀性以减少其漏电流。

主权项

1.一种耐高电压元件，其特征在于包含：一半导体衬底，其包含；一具有第一导电型的第一掺杂区域；一具有第二导电型的第二掺杂区域；一具有第二导电型的第三掺杂区域；一具有第二导电型的第四掺杂区域；及一具有第二导电型的第五掺杂区域，与所述第四掺杂区域有重叠部分，且所述重叠部分包围所述第三掺杂区域；以及一栅极，设置在所述第二掺杂区域与所述第三掺杂区域间的所述半导体衬底表面上，用以控制所述第二掺杂区域与所述第三掺杂区域间的导通。