薄膜光学变换装置之制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜光电变换装置之p型层之制造方法，其抑制透明导电氧化物层之还元，并具有良好之性能。本发明之矽系薄膜光电变换装置之制造方法，其特征系：由光入射侧观之，依序配置：透明导电氧化物层、p型半导体层、实质上本质半导体之光电变换层及n型半导体层者，前述p型层系以电浆CVD法，使用至少包含矽烷系气体及氢之稀释气体而形成，且其形成时之压力为2 Torr以上5 Torr以下之范围，对前述矽烷系气体稀释，之稀释气体之流量比为5倍以上50倍以下。