发明名称 FILM FORMATION DEVICE AND FILM FORMATION METHOD FOR FORMING METAL FILM
摘要 원하는 막 두께의 금속 피막을, 복수의 기재의 표면에 연속하여 성막할 수 있는 금속 피막의 성막 장치 및 그 성막 방법을 제공한다. 성막 장치 (1A) 는, 양극 (11) 과, 음극 (12) 과, 상기 양극과 음극이 되는 기재와의 사이에 있어서 양극 (12) 의 표면에 배치된 고체 전해질막 (13) 과, 성막 장치 (1A) 는, 양극 (11) 과 기재 (B) 사이에 전압을 인가하는 전원부 (E) 를 적어도 구비하고 있다. 양극 (11) 과 기재 (B) 사이에 전압을 인가하여, 고체 전해질막 (13) 의 내부에 함유된 금속 이온으로부터 금속을 기재의 표면에 석출시킴으로써, 금속으로 이루어지는 금속 피막 (F) 을 성막하는 것이다. 양극 (11) 은, 금속 이온을 함유하는 용액 (L) 이 투과하며, 또한 고체 전해질막 (13) 에 금속 이온을 공급하는, 다공질체로 이루어진다.
申请公布号 KR101623677(B1) 申请公布日期 2016.05.23
申请号 KR20147024921 申请日期 2013.02.21
申请人 도요타 지도샤(주) 发明人 히라오카 모토키;야나기모토 히로시;사토 유키;요시오카 다카야스
分类号 C25D17/12;C25D17/14 主分类号 C25D17/12
代理机构 代理人
主权项
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