闪存单元及其形成方法

摘要

一种闪存单元及其形成方法，所述闪存单元的形成方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面形成有第一介质层及其表面的浮栅材料层；形成覆盖第一介质层和浮栅材料层表面的第二介质层及其表面的控制栅材料层；在控制栅材料层表面形成具有开口的硬掩膜层；在开口内形成第一侧墙；以第一侧墙和硬掩膜层为掩膜，刻蚀控制栅材料层，形成第一凹槽；在第一凹槽内，形成位于控制栅材料层侧壁上的第二侧墙；沿第一凹槽刻蚀第二介质层、浮栅材料层和第一介质层，形成第二凹槽及浮栅；在第二凹槽内壁表面形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层表面形成填充满第一凹槽、第二凹槽的字线。上述方法可以提高闪存中控制删对浮栅的耦合效率，从而提高闪存的擦写性能。

主权项

一种闪存单元的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有覆盖部分半导体衬底表面的第一介质层和位于第一介质层表面的浮栅材料层；形成覆盖所述半导体衬底表面、第一介质层和浮栅材料层侧壁以及浮栅材料层顶部表面的第二介质层，以及位于所述第二介质层表面的控制栅材料层；在所述控制栅材料层表面形成具有开口的硬掩膜层，所述开口位于浮栅材料层正上方，且所述开口的宽度大于浮栅材料层的宽度；在所述开口内形成覆盖硬掩膜层侧壁的第一侧墙；以所述第一侧墙和硬掩膜层为掩膜，以所述第二介质层为停止层，刻蚀所述控制栅材料层，形成第一凹槽；在所述第一凹槽内，形成位于所述控制栅材料层侧壁上的第二侧墙；以所述半导体衬底为停止层，沿所述第一凹槽刻蚀第二介质层、浮栅材料层和第一介质层，形成第二凹槽及位于第二凹槽两侧的浮栅；在所述第二凹槽内壁表面形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层表面形成填充满所述第一凹槽、第二凹槽的字线；去除所述硬掩膜层和位于所述硬掩膜层下的部分控制栅材料层和部分第二介质层，形成控制栅，所述控制栅覆盖位于浮栅的顶部表面和远离字线的一侧侧壁表面的第二介质层。